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原子層沉積(ALD)背鈍化技術簡介

產品與技術

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1)通過與表面Si原子形成Si-H鍵減少Si晶表面缺陷密度。

2)氧化鋁材料表面較高密度負電荷形成“場效應”,減少硅表面少子密度。從而到達降低表面復合數量,延長載流子壽命密度,提高Voc,Jsc并最終提高電池效率的目的。

 

PERC電池工藝路線

原子層沉積氧化鋁作為太陽能電池鈍化材料具有制備溫度低、鈍化效果優良、適用范圍廣等眾多優點。非常適用于N型高效電池的發射極及P型高效電池背表面的鈍化(PERC)。氧化鋁背鈍化工藝只需在現有電池生產工藝基礎上增加氧化鋁鍍膜和激光劃線兩步,與其它高效太陽能電池工藝相比,技術難度較小,設備投資成本低,是高效太陽能電池的下一個技術方向。

 

理想能源設備ALD背鈍化機臺特征:

業內首創的 In-Line + Batch ALD方式,具有以下特征:

1.基于已產業化的成熟設備平臺,可靠性、穩定性、安全性已通過量產驗證該開機率超過95%,維護方便。

2.模塊化設計,可進行靈活配置,滿足不同生產環境下的產能需求(500片/小時~3500片/小時);同時可增加客制化的自動化功能(包括上/下片),與客戶生產線靈活對接。

3.托盤式批量電池片傳輸方式,碎片率降至最低,減少了由于碎片造成的停機時間,同時避免了繞鍍現象。

4.維護時間短、運行成本低。采用低壓熱反應,與PECVD Al2O3工藝相比,TMA用量降低了1/2;相比常壓ALD工藝, 減少了顆粒的形成及系統的維護時間。

 

ALD背鈍化機臺及電池性能

數據表明,采用理想能源設備ALD氧化鋁背鈍化材料可提升P型多晶電池轉化效率0.6%以上,該設備和工藝已被業界太陽能電池生產廠家所驗證。

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