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MOCVD簡介

產品與技術

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MOCVD技術簡介

金屬有機物化學氣相沉淀技術(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,簡稱 MOCVD),是一項制備化合物半導體單晶薄膜的技術。主要用于發光二極管的制造,MOCVD設備是光電子行業關鍵設備,用MOCVD 技術進行外延生長是制造外延片的核心步驟。



MOCVD工藝步驟:

n型氮化鎵生長

量子阱層生長

p型氮化鎵生長

MOCVD生長工藝要求極高:

高溫 > 1100 C°

極高的熱均勻性和反應氣體的流量均勻性

精確控制化學物質的配比

減少副反應發生

理想公司MOCVD設備

公司于2010年下半年開始MOCVD設備研發,理想能源設備的單腔體和全自動多腔體MOCVD集成設備都將于2011年下半年推出。


理想能源公司的MOCVD設備將為我們的客戶帶來更多獲益:

具有多種機型供客戶選擇:單一機臺以及全自動機臺組系統

高的工業量產效率及低的成本消耗

友好的用戶操作界面及靈活的菜單管理系統

獨創的預熱工藝腔體盡可能減少客戶的工藝時間

與客戶緊密合作,使客戶機臺利用率最大化

一流的售后服務與技術支持,以客戶滿意為最高宗旨

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